把设备预约，
做成一件简单的事

全自动匀胶-烘烤-显影主要技术参数：晶圆尺寸：8inch涂胶均匀性：3σ＜2%底部抗反射层均匀性：3σ＜2%

主要技术参数分辨率（Resolution）：≤90nm套刻精度（Overlay Accuracy）：≤5nm缩小倍率（Reduction Ratio）：4/1曝光视场（Filed size）：26mm*33mm曝光波长（Expose Wavelength）：KrF 248nm掩模版尺寸（Reticle Size）：6inch晶圆尺寸（Wafer Size）：8inch材质（Substrate）：Si/Glass

激光直写曝光（曝光波长266nm，最小线宽350nm）可加工衬底尺寸：6英寸光罩，4英寸晶圆

主要技术参数适配晶圆尺寸（Wafer Size）： 2–8 inch，兼容不规则碎片样品（Wafer Pieces）掩模版尺寸（Photomask Size）： 5–9 inch曝光波长（Exposure Wavelength）： i-line（365 nm）、h-line（405 nm）、g-line（436 nm）最小线条分辨率（Minimum Line Resolution）： ≤0.8 μm（Vacuum + Hard Contact Mode）正面对准精度（Top-Side Alignment Accuracy）： ±0.5 μm主要功能及特色高精度双面光刻（High-Precision Double-Side Lithography）： 支持晶圆正反面精密对准与曝光，适用于双面微结构及多层图形加工。亚微米级图形制备（Submicron Patterning）： 在规定工艺条件下可实现 ≤0.8 μm 的单线分辨率，满足精细微纳结构加工需求。多波长紫外曝光（Multi-Wavelength UV Lithography）： 支持 i-line、h-line 和 g-line 紫外曝光，适用于不同类型光刻胶及微纳加工工艺。多模式曝光（Multiple Exposure Modes）： 支持真空接触、硬接触及接近式曝光，满足不同分辨率和基底表面条件的加工需求。多尺寸基底兼容（Versatile Substrate Compatibility）： 支持 2–8 inch 晶圆及碎片样品，适用于硅、玻璃及其他兼容基底的光刻加工。微纳器件制备（Micro/Nanodevice Fabrication）： 可用于 MEMS 器件、微透镜阵列、微光学器件、微流控芯片及其他微纳结构的图形化加工。

1. 可支持50 nm线宽结构压印2. 子版与母版结构偏差:< 5%3. WTW对位精度：< 5 μm4. 支持双波段曝光（365 nm or 405 nm）

1. 可支持100 nm线宽结构压印2. 可支持的单颗Die最大面积：70 mm*70 mm3. 母版与拼版结构偏差:< 7%4. D2W对位精度：< 1 μm。5. 透镜XY方向面型极差值：< 0.5 um

主要技术参数（Technical Specifications）适配基底尺寸（Substrate Size）： 2–8 inch 晶圆，兼容 5 inch、6 inch 方形基底及小尺寸碎片样品。最高旋涂转速（Maximum Spin Speed）： 6000 rpm（Open Bowl 模式）；5000 rpm（Gyrset 模式）。转速分辨率（Speed Resolution）： 1 rpm。最大旋转加速度（Maximum Acceleration）： 7000 rpm/s（Open Bowl 模式）；3000 rpm/s（Gyrset 模式）。涂胶均匀性（Coating Uniformity）： ±2% 以内（150/200 mm 晶圆，AZ1505 光刻胶，膜厚约 0.8–1.0 μm，边缘 6 mm 区域除外）。光刻胶黏度范围（Photoresist Viscosity Range）： 1–500 cP（Iwaki 供胶系统）；400–800 cP（CPD 供胶系统）。自动供胶系统（Automatic Resist Dispensing）： 配备 2 套 Iwaki 供胶系统及 1 套 CPD 高黏度供胶系统。工艺程序容量（Recipe Capacity）： 最多 1000 组程序，每组最多 50 个工艺步骤。旋涂腔体类型（Coating Chamber）： 开放式旋涂腔（Open Bowl）及 Gyrset 封闭式旋涂腔。辅助工艺功能（Auxiliary Process Functions）： 支持背面清洗（BSR）、边缘去胶（EBR）、预润湿（Pre-wet）、喷嘴自动清洗（Nozzle Cleaning）及盖子清洗（Cotton Candy Rinse）主要功能及特色（Main Functions and Features）高均匀性旋涂（High-Uniformity Spin Coating）： 采用精密转速控制技术，在规定测试条件下可实现 ±2% 以内的光刻胶膜厚均匀性，满足微纳加工对薄膜一致性的要求。多尺寸基底兼容（Versatile Substrate Compatibility）： 支持 2–8 inch 晶圆、方形基底及小尺寸碎片样品的旋涂加工。宽黏度范围涂胶（Wide-Viscosity-Range Coating）： 配备多套自动供胶系统，支持不同黏度光刻胶的精密定量供胶，适用于不同厚度的光刻胶涂覆工艺。双模式旋涂（Dual-Mode Spin Coating）： 支持 Open Bowl 和 Gyrset 两种旋涂模式，满足不同基底及涂胶工艺需求。自动清洗与边缘去胶（Automatic Cleaning and Edge Bead Removal）： 集成边缘去胶、背面清洗、预润湿及喷嘴自动清洗功能，有助于减少残胶污染并改善后续光刻工艺的稳定性。可编程工艺控制（Programmable Process Control）： 支持多步骤旋涂程序设置，实现转速、加速度及供胶过程的精确控制，提高工艺重复性。微纳制造应用（Micro/Nanofabrication Applications）： 适用于半导体光刻、MEMS 器件、微透镜阵列、微光学器件及微流控芯片等微纳加工工艺中的光刻胶涂覆。

主要参数：晶圆尺寸：6/8inch分辨率：1.5nm@800V加速电压：300V~2000V放大倍率：0.3k~250k测量重复性：＜1%

光刻胶黏附层的涂布可加工衬底尺寸：2-8英寸

主要技术参数：晶圆尺寸：6/8inch测量精度：1nmTIS：≤1.5nmTMU：2.1nmWPH：110 WPH@36sites支持测量的图案高度：≤5um支持的overlay mark：BiB，AIM

主要技术参数（Technical Specifications）适配晶圆尺寸（Wafer Size）： 6 inch（150 mm）、8 inch（200 mm）硅晶圆，支持规定条件下的翘曲晶圆加工。最高旋涂转速（Maximum Spin Speed）： 5500 rpm。最大旋转加速度（Maximum Acceleration）： 30000 rpm/s。转速控制精度（Spin Speed Accuracy）： ±1 rpm（1–5000 rpm）。涂胶膜厚均匀性（Coating Thickness Uniformity）： 1 μm 膜厚 ≤0.8%；3 μm 膜厚 ≤1%；10 μm 膜厚 ≤2.5%；50 μm 膜厚 ≤5%。显影线宽均匀性（Development CD Uniformity）： 1 μm CD 图形的晶圆内及晶圆间线宽均匀性 ≤3%。光刻胶供液系统（Photoresist Dispensing System）： 配备多种气动泵、电动泵及注射器供胶系统，支持不同黏度光刻胶的定量供液。光刻胶管路温控（Photoresist Temperature Control）： 20–24 ℃，控温精度 ±0.2 ℃（冷水机显示温度）。显影液管路温控（Developer Temperature Control）： 22–24 ℃，控温精度 ±0.2 ℃（冷水机显示温度）。边缘去胶范围（Edge Bead Removal Range）： 0.7–10 mm，精度 ±0.3 mm（规定晶圆翘曲条件）。热处理系统（Thermal Processing System）： 配备 HMDS 增粘热盘、低温热盘、上下烘烤式热盘及冷却盘，支持多阶段温度处理。自动晶圆传输（Automatic Wafer Handling）： 双片盒工位配置，支持机械对中、机器人自动传输及多工艺模块协同运行。工艺配方管理（Recipe Management）： 每种配方类型最多支持 9999 组，具备配方修改历史追溯及多级权限管理。自动清洗功能（Automatic Cleaning Functions）： 支持边缘去胶（EBR）、背面清洗（BSR）、胶嘴自动清洗及旋涂腔体自动清洗。主要功能及特色（Main Functions and Features）全自动涂胶显影（Fully Automatic Coating and Developing）： 集成晶圆自动传输、涂胶、显影、烘烤及冷却等工艺模块，实现光刻前后处理工艺的自动化运行。高均匀性光刻胶涂覆（High-Uniformity Photoresist Coating）： 具备精密旋涂与定量供胶能力。高精度显影（High-Precision Photoresist Development）： 支持有机及无机显影工艺。宽膜厚光刻胶加工（Wide-Range Photoresist Processing）： 配备多类型供胶系统，适用于薄胶及厚胶涂覆，可满足不同微纳结构的光刻工艺需求。集成式热处理（Integrated Thermal Processing）： 配备 HMDS 增粘、精密烘烤及冷却模块，支持光刻胶预处理、前烘和后烘等工艺。自动清洗与边缘去胶（Automatic Cleaning and Edge Bead Removal）： 集成晶圆背面清洗、边缘去胶、胶嘴清洗及腔体清洗功能，有助于降低残胶污染并提高工艺稳定性。微纳器件制造（Micro/Nanodevice Fabrication）： 适用于半导体器件、MEMS、微透镜阵列、微光学器件、先进封装及晶圆键合等微纳加工工艺。

主要技术参数（Technical Specifications）适配基底尺寸（Substrate Size）： 支持最大 6 inch 方形基底，兼容最大 4 inch 圆形晶圆。温度控制范围（Temperature Range）： 室温至 300 ℃。温度均匀性（Temperature Uniformity）： ±1%。温度控制精度（Temperature Accuracy）： ±1 ℃。工艺程序容量（Recipe Capacity）： 支持 20 组可编程加热程序。多阶段温度控制（Multi-Step Temperature Control）： 每组程序支持 30 个温度设定阶段。单阶段最长运行时间（Maximum Step Duration）： 600 min（10 h）。加热方式（Heating Method）： 支持真空吸附加热（Vacuum-Assisted Heating）及 Lift-Pin 顶针加热。晶圆顶针系统（Lift-Pin System）： 配备电动升降顶针机构，实现样品升降与加热接触控制。温度控制系统（Temperature Control System）： PLC 控制单元及温控模块，配备热电偶测温。主要功能及特色（Main Functions and Features）精密温度控制（Precision Temperature Control）： 采用 PLC 温控系统，实现室温至 300 ℃的精密加热，温度控制精度达 ±1 ℃，满足微纳加工对热处理稳定性的要求。多阶段可编程加热（Multi-Step Programmable Heating）： 支持 20 组加热程序，每组最多 30 个温度阶段，可实现多步骤温度控制及定时加热。高均匀性热处理（Uniform Thermal Processing）： 温度均匀性达 ±1%，有助于提高样品热处理的一致性及工艺重复性。双模式加热（Dual-Mode Heating）： 支持真空吸附及 Lift-Pin 顶针加热，适用于不同基底和热处理工艺需求。多尺寸基底兼容（Versatile Substrate Compatibility）： 支持最大 6 inch 方形基底及 4 inch 圆形晶圆，适用于硅片、玻璃及其他耐温基底的热处理。光刻胶热处理（Photoresist Thermal Processing）： 适用于光刻胶前烘（Soft Bake）、曝光后烘烤（Post-Exposure Bake）、硬烘（Hard Bake）及光刻胶热回流（Thermal Reflow）等工艺。微纳制造应用（Micro/Nanofabrication Applications）： 可用于微透镜阵列、MEMS 器件、微光学结构及其他微纳器件制造过程中的精密热处理。

主要技术参数（Technical Specifications）适配基底尺寸（Substrate Size）：4–8 inch 晶圆（100–200 mm）。旋涂转速范围（Spin Speed Range）： 20–10000 rpm。转速调节分辨率（Speed Resolution）： 1 rpm。转速控制精度（Spin Speed Accuracy）： ≤±1 rpm。旋转加速度范围（Acceleration Range）： 20–50000 rpm/s。单步运行时间（Maximum Step Duration）： 3000 s。时间控制分辨率（Time Resolution）： 0.1 s。工艺程序容量（Recipe Capacity）： 支持 100 组工艺程序，每组最多 100 个步骤。涂胶均匀性（Coating Uniformity）： 4 inch 晶圆片内 ±0.49%、片间 ±0.55%；6 inch 晶圆片内 ±0.76%、片间 ±0.91%；8 inch 晶圆片内 ±0.92%、片间 ±1.10%（规定测试条件）。主要功能及特色（Main Functions and Features）高精度旋涂（High-Precision Spin Coating）： 采用高精度伺服电机驱动及 PLC 控制，实现转速和加速度的精确调节，满足微纳加工对薄膜均匀性的要求。多尺寸基底兼容（Versatile Substrate Compatibility）： 支持 4–8 inch 晶圆，适用于硅片、玻璃及其他兼容基底的旋涂加工。宽转速范围涂胶（Wide-Range Spin Coating）： 支持 20–10000 rpm 转速调节，可通过多步骤工艺控制实现不同厚度薄膜的旋涂制备。高均匀性薄膜制备（High-Uniformity Thin-Film Coating）： 在规定测试条件下，4 inch 晶圆片内膜厚均匀性可达 ±0.49%，适用于高精度薄膜涂覆工艺。可编程工艺控制（Programmable Process Control）： 支持多组工艺配方及多步骤参数设置，实现旋涂转速、加速度和运行时间的精确控制，提高工艺重复性。微纳制造应用（Micro/Nanofabrication Applications）： 适用于半导体光刻、MEMS 器件、微透镜阵列、微光学器件及微流控芯片等微纳加工工艺中的光刻胶和功能薄膜涂覆。

用于有机化学清洗，显影工艺

1. UV波长范围：365 ± 5 nm2. 峰值照射强度：500 mw/cm2

硅衬底上深孔刻蚀可加工衬底尺寸：2-8英寸

二氟化氙刻蚀机（SAMCO VPE-4F XeF2 etcher）主要用途：XeF2蒸汽各向同性刻蚀；腔室配置：；性能：已有工艺刻蚀速率19nm/cycle，片内去胶不均匀性＜±5%；工艺气体：XeF2；样品适配： 4 英寸晶圆及碎片。晶圆传送：无传送

氯基的化合物半导体刻蚀1. 刻蚀材料：InP, GaAs, GaN等三五族化合物半导体，不与硅基及金属类材料混用；2. 功率：ICP最大功率1kW，bias最大功率100W；3. 刻蚀气体：Cl2、BCl3、SiCl4、SF6、N2、O2、Ar;4. 温度范围：40~200°C；5. 刻蚀均匀性：片内≤5%，片间≤5%。6.可加工衬底尺寸：2-8英寸

氟基的硅及介质薄膜刻蚀1. 刻蚀材料：Si, SiO2, SiN等硅基材料，不与金属材料混用；2. 功率：ICP最大功率1kW，bias最大功率600W；3. 刻蚀气体：C4F8、CF4、CHF3、SF6、N2、O2、Ar;4. 温度范围：-20~40°C；5. 刻蚀均匀性：片内≤5%，片间≤5%。6.可加工衬底尺寸：2-8英寸

金属刻蚀1. 刻蚀材料：Al, Cr, Au, 金属氧化物薄膜（如Al2O3/HfO2）等金属材料；2. 功率：ICP最大功率900W，bias最大功率900W；3. 刻蚀气体：Cl2、BCl3、SiCl4、CF4、CHF3、N2、O2、Ar;4. 温度范围：15~80°C；5. 刻蚀均匀性：片内≤5%，片间≤5%。6.可加工衬底尺寸：2-8英寸

双腔干法等离子去胶机（Sino-Plasma 100 Strip(D)-Bias）主要用途：用于刻蚀后光刻胶去除（Ashing）及光刻显影后残胶清理（Descum）；腔室配置：双腔 ICP 结构，高温腔温控范围为 50–290 ℃，低温腔为 10–80 ℃，低温腔配备可调射频偏压；去胶性能：高温腔去胶速率＞6 μm/min（250 ℃），低温腔＞1 μm/min（40 ℃），片内去胶不均匀性＜±5%；工艺气体：支持 O₂、N₂、Ar、CF₄ 及 H₂/N₂（4% H₂）混合气；样品适配：兼容 4、6、8 英寸晶圆及碎片，适用于 Si、LN、LT、GaAs、InP 及玻璃等衬底，支持自动传片。晶圆传送：配备双机械手臂，支持自动传片，具有晶圆在位检测及料盒 Mapping 功能，可识别晶圆空缺或错槽。

设备功能可用于溅射介质、金属和陶瓷材料。目前支持SiN、SiO2、AlN、AlCu、Cr、TiN、Al2O3和YIG等多种材料沉积，厚度根据客户工艺需求制备，金属最大厚度支持4μm，介质材料最大支持1um设备工艺能力8英寸金属膜厚均匀性 ≤ ±3%8英寸介质膜厚均匀性 ≤ ±5%8英寸陶瓷材料膜厚均匀性≤ ±5%；具备氧气和氮气的反应溅射能力RF腔heater最大温度700℃，同时支持氧气反应；可加工衬底尺寸：6/8英寸

设备功能可用于溅射介质、金属和陶瓷材料。目前支持SiN、SiO2、AlN、AlCu、Cr、TiN、Al2O3和YIG等多种材料沉积，厚度根据客户工艺需求制备，金属最大厚度支持4μm，介质材料最大支持1um设备工艺能力8英寸金属膜厚均匀性 ≤ ±3%8英寸介质膜厚均匀性 ≤ ±5%8英寸陶瓷材料膜厚均匀性≤ ±5%；具备氧气和氮气的反应溅射能力RF腔heater最大温度700℃，同时支持氧气反应；可加工衬底尺寸：6/8英寸

（1）工艺温度：室温–450°C，控制精度在±1 ℃；沉积薄膜有：氧化铝，氧化铪，氧化硅，氧化锆，氧化钛等；其他薄膜需求请联系负责人沟通；（2）适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6、4英寸及更小的晶圆和不规则碎片；有高度高于3mm的样品，可与负责人联系可行性；（3）膜厚均匀性（片内）：≤±2% (4英寸)；膜厚重复性（片间）：≤±2%；（4）膜厚控制精度±1Å；（5）配置showerhead喷淋器和扩散增强器，主要用于改善膜层均匀性及台阶覆盖、实现无空穴的沟槽填埋Trench filling。 （6）可加工衬底尺寸：8英寸及以下兼容

预约前请联系负责人，确认样品信息。主要功能：1）用于沉积TEOS-SiOx，SiH4-SiOx，SiH4-SiNx薄膜材料；2）片内成膜均匀性优于3%，片间成膜均匀性优于5%；可加工衬底尺寸：4-8英寸晶圆及小尺寸不规则样品，厚度须小于1mm工艺气体:100%SiH4，N2O，NH3，N2，TEOS(液态硅源）+O2，CF4；双频:HF(13.56 MHz)+MF(400 kHz)射频,功率范围30～270 W衬底加热温度:350℃

设备规格： 1.支持电子束蒸发镀膜（6种金属）和热阻蒸发镀膜（3种金属）; 2.腔室最高可加热至300 ℃，片与片间的温度均匀性±10 ℃以内; 3.腔室极限真空度最高可达1.6E-5Pa; 4.配置双晶振膜厚测量系统，可监控沉积速率及膜层厚度; 5.多种规格样品尺寸挂架（2-8英寸），可实现多片不同尺寸样品同时蒸发工艺性能： 1.支持金属种类：Ti、Ni、Al、Cr、Au、Ag、Pt等； 2.片内、片间和批次间膜厚均匀性＜5%; 3.沉积速率2-10A/s可调

1、常压退火，炉口、炉中、炉尾三段式双热电偶控温温度，温度精度0.1℃； 2、样品尺寸及片数：单根炉管一次最多可以装载6英寸晶圆100片或者8英寸晶圆50片； 3、工艺气体N2、Forming Gas； 4、最高温度1050℃，升温速率≥5℃/min； 5、可加工衬底尺寸：2-8英寸

1、常压氧化，炉口、炉中、炉尾三段式双热电偶控温温度，温度精度0.1℃ 2、支持干氧氧化和湿氧氧化工艺，其中湿氧氧化包括氢氧点火和DI Water steam两种方式 3、样品尺寸及片数：单根炉管一次最多可以装载6英寸晶圆100片或者8英寸晶圆50片； 4、工艺气体N2、O2、H2 5、最高温度1050℃，升温速率≥5℃/min

设备功能可用于沉积TSV / TGV 或大马士革工艺的阻挡层和铜种子层，也可用于Al金属互联。具备Ti/TiN、Ta/TaN、Cu、AlCu的薄膜沉积能力。设备工艺能力（8英寸）Ta溅射均匀性 (8“,EE5)< 4%TaN溅射均匀性 (8“,EE5)< 3%Al溅射均匀性(8“,EE5)<3%Cu溅射均匀性(8“,EE5)<4%Pre-Clean均匀性(8“,EE5)<5%支持阻挡层和铜种子层沉积，最大支持AR 10:1孔洞填充，底部金属覆盖率>5%，侧壁金属覆盖率>1%支持Al金属互联，Al腔体工艺温度270℃

半自动酸碱刻蚀机（SFQ-810FXRSJ）1、主要用途：可用于光刻胶去除以及SiN/SiO2/Si等膜层的刻蚀；2、槽体配置：有SPM（120℃）、H3PO4（160℃）、BOE（常温）、混酸、碱液（80℃）共五个药液槽及对应的QDR槽，药液槽温度可调；3、化学品：SPM、H3PO4、BOE、混酸（HF/HNO3/醋酸）、KOH、TMAH4、可加工样品：兼容2-8英寸晶圆，适用于Si、SiO2、铌酸锂及玻璃衬底；禁止带有金属的晶圆进入；

手动酸碱刻蚀机（SFQ-810FXRSJ）1、主要用途：可用于光刻胶去除以及SiN/SiO2/Si等膜层的刻蚀，全程需手动取放晶圆及转移晶圆至QDR槽；2、槽体配置：有SPM（120℃）、H3PO4（160℃）、BOE（常温）、混酸、碱液（80℃）共五个药液槽及对应的QDR槽，药液槽温度可调；3、化学品：SPM、H3PO4、BOE、混酸（HF/HNO3/醋酸）、KOH、TMAH4、可加工样品：兼容2-8英寸晶圆，适用于Si、SiO2、铌酸锂及玻璃衬底；禁止带有金属的晶圆进入；

半自动RCA清洗机（SFQ-808FXRCA）1、主要用途：对晶圆表面进行清洗，主要去除有机物、氧化层、颗粒及金属离子沾污；2、槽体配置：有SPM（120℃）、DHF（常温）、SC1（65℃）、SC2（65℃）共四个药液槽及对应的QDR槽，药液槽温度可调；3、化学品：SPM（H2SO4/H2O2）、HF、SC1（氨水/H2O2）、SC2（HCl/H2O2）4、可加工样品：兼容2-8英寸晶圆，适用于Si、SiO2、铌酸锂及玻璃衬底；禁止带有金属的晶圆进入；

手动RCA清洗机（SFQ-808FXRCA）1、主要用途：对晶圆表面进行清洗，主要去除有机物、氧化层、颗粒及金属离子沾污；全程需手动取放晶圆及转移晶圆至QDR槽；2、槽体配置：有SPM（120℃）、DHF（常温）、SC1（65℃）、SC2（65℃）共四个药液槽及对应的QDR槽，药液槽温度可调；3、化学品：SPM（H2SO4/H2O2）、HF、SC1（氨水/H2O2）、SC2（HCl/H2O2）4、可加工样品：兼容2-8英寸晶圆，适用于Si、SiO2、铌酸锂及玻璃衬底；禁止带有金属的晶圆进入；

全自动有机去胶机（SFQ-805FXYJ）1、主要用途：对光刻后胶的去除以及干法刻蚀后晶圆的清洗；2、槽体配置：有NMP1（70℃）、NMP2（70℃）、ACE（70℃）、IPA（常温）共四个药液槽及QDR槽，药液槽温度可调；3、化学品：EKC、NMP、丙酮、IPA；4、可加工样品：兼容2-8英寸晶圆，适用于Si、SiO2、铌酸锂及玻璃衬底；

手动有机去胶机（SFQ-805FXYJ）1、主要用途：对光刻后胶的去除以及干法刻蚀后晶圆的清洗；全程需手动取放晶圆及转移晶圆至QDR槽；2、槽体配置：有NMP1（70℃）、NMP2（70℃）、ACE（70℃）、IPA（常温）共四个药液槽及QDR槽，药液槽温度可调；3、化学品：EKC、NMP、丙酮、IPA；4、可加工样品：兼容2-8英寸晶圆，适用于Si、SiO2、铌酸锂及玻璃衬底；

甩干机（SFQ-810FXRSJ）1、主要用途：对湿法清洗/刻蚀后的晶圆进行干燥，通过N2加热及旋转进行甩干；2、槽体配置：有上下两个腔室，按需求使用；4、可加工样品：兼容6-8英寸晶圆，适用于Si、SiO2、铌酸锂及玻璃衬底；

主要技术参数1. 适配晶圆尺寸：6-8inch2. 最高温度：550℃；最大升温速率45℃/min；最大冷却温度15℃/min3. 最大真空度：1E-5mbar4. 最大接触压力：100KN5. 阳极键合电源：最大电压2000V，最大电流50mA6. 键合后精度：≤±3μm7. 手动装/卸片主要功能及特色1. 支持阳极键合、热压键合、共晶/焊料键合、瞬态液相键合（TLP）等。2. 支持高真空，N2或氮氢混合气体氛围下键合。3. 独立上、下加热盘控制，可补偿上下晶圆热膨胀系数差异，实现无应力键合与良好温度均匀性。注：不支持任何胶类热固键合工艺。不允许晶圆带胶进腔体。

主要技术参数：1. 适配晶圆尺寸：6/8英寸2. 适配晶圆厚度：350-1000μm3. 适配晶圆材质：硅、二氧化硅、铌酸锂。4. SiO2 Removal rate>150nm/min5. SiO2 WIW NU%＜3%，WTW NU%＜2%主要功能及特色：1. 配有终点检测系统（EPD），防止过抛以及确保膜厚均匀性。2. 支持“干进干出”，减少晶圆在不同设备间转移带来的污染风险。3. 分区压力控制，可针对性修正TTV、BOW、片内均匀性等。

主要技术参数1. 适配芯片尺寸：上部芯片（器件）0.2-100mm，厚度6.3mm；下部基板最大100×100mm，或Ø200mm晶圆，厚度5mm。2. 最高温度：≤50×50mm，最高温度450℃，≤Ø200mm，最高温度350℃。3. 压力范围1-4000N4. 键合后精度：≤±0.5μm。5. 水平度调整：每次键合前可进行水平度调整至＜1μrad。主要功能及特色1. 支持Chip to Chip，Chip to Wafer。2. 支持倒装键合（面对面），芯片键合（面朝上），热压键合等。3. 支持甲酸还原性气体氛围，抑制氧化（利于 Cu-Cu、无焊剂工艺）。

主要技术参数1. 适配芯片尺寸：8寸及以下晶圆，支持不规则残片样片切割。2. 切割速度：0.1mm/s~1000mm/s。3. 切割精度：≤2μm。4. 崩边：硅正崩≤20μm，背崩≤50μm。5. 切割道宽度：≥50μm。6. 晶圆材质：硅、玻璃、化合物等。主要功能及特色：1. 支持全自动、半自动、手动作业。2. 对向式双主轴 + 缩短主轴间距，Step Cut / 双刀切割（Dual Cut）加工时间显著缩短。

主要技术参数：1. 适配晶圆尺寸：4-8英寸2. 适配晶圆厚度：100-1800μm3. 适配晶圆材质：硅、玻璃、InP等。4. 研磨后Si TTV≤1.5μm，WTW±3μm，粗糙度Ra≤10nm。主要功能及特色：1. 双轴协同研磨：采用2轴设计，用于粗磨和精磨，保证加工效率的同时，也利于获得更优的表面质量。2. 全自动流程操作，支持“干进干出”，适用于批量生产。3. 在研磨过程中实时监控晶圆厚度，确保最终厚度达到目标值。

主要技术参数：1. 焊线区域尺寸：56mm×80mm。2. 焊接精度：±2.5μm。3. 线径范围：15μm-76μm（针对线材为金线、银线、铜线）。4. 最大线长：7.6mm。

主要技术参数：1. 适配晶圆尺寸：8寸及以下晶圆，支持不规则残片样片切割。2. 晶圆厚度150μm~775μm。3. 使用材质：硅，切割道宽度≥0.25×晶圆厚度，且切割路径上无金属、无膜层。4. 激光波段：1342nm。5 切割精度：≤1μm。6. 蜿蜒：≤5μm。主要功能及特色1. 支持全自动、半自动、手动切割。2. 配有OAS光束整形技术，能有效修正材料内部的激光聚焦相差，提升改质效果。3. 配有AF焦点实时跟随技术（DRA），使激光焦点能实时跟随晶片厚度变化而自动调整，确保改质层深度保持一致。

主要技术参数：1. 适配晶圆尺寸：8英寸及以下晶圆，支持不规则残片样品切割。2. 适配晶圆厚度：100-1000μm3. 适配晶圆材质：玻璃、石英。4. 切割精度：≤5μm。5. 蜿蜒≤10μm，线宽≤20μm，切割截面与晶圆表面垂直度≤0.5°。6. 激光波长：532nm。主要功能及特色：1. 配备全自动上下料功能，2. 内置实时焦距校正系统（DRA），能够动态补偿晶圆表面的微小起伏或翘曲，确保激光焦点始终精准作用于材料内部的目标深度。

主要技术参数：1. 适配晶圆尺寸：8英寸及以下晶圆，支持不规则残片样品裂片。2. 适配晶圆材质：玻璃、石英。3. 崩边：≤15μm。4. 加工精度：±3μm。主要功能及特色：1. 支持全自动、半自动以及手动作业。2. 内置实时焦距校正系统（DRA），能够动态补偿晶圆表面的微小起伏或翘曲，确保激光焦点始终精准作用于材料内部的目标深度。

晶圆扩膜（2-8英寸）

晶圆贴膜（2-8英寸）胶膜种类：蓝膜、UV膜、静电膜、BG膜

划片膜紫外光照射解胶2-8英寸

晶圆包装提供多型号包装袋

主要技术参数：1. 适配晶圆尺寸：6英寸及以下晶圆，支持不规则残片样品划片。2. 适配晶圆材质：GaAs、InP、GaN、Si等材质的划片作业。3. 最小切割道：≥12μm。4. 划片精度：≤±2μm。主要功能及特色：1. 利用化合物半导体单晶材料固有的晶格解理面，通过机械划痕引入应力集中，式材料沿该自然晶面干净地分离。2. 支持全自动、半自动以及手动作业。3. 支持Wafer to Cell，Cell to Bar，Bar to Chip三段划片功能。

主要技术参数：1. 适配晶圆尺寸：6英寸及以下晶圆，支持不规则残片样品裂片。2. 适配晶圆材质：GaAs、InP、GaN、Si等材质的划片作业。3. 最小切割道：≥12μm。4. 划片精度：≤±3μm。主要功能及特色：1. 支持全自动、半自动以及手动作业。

激光打标晶圆材质：硅、玻璃、LN等晶圆尺寸：4-8英寸

1. 活化前后样品表面粗糙度差值<0.3 nm2. 活化后样品表面接触角< 5°

透射电镜制样用2-4英寸

器件/材料显微形貌表征2-4英寸

薄膜厚度和光学常数测量2-8英寸

器件/微纳结构形貌表征2-8英寸

主要技术参数：1. 最小分辨率可达0.45μm；2. 支持8英寸及以下晶圆；3. 支持小Die、残片、PVBA、粉末等；4. 最大电压：160KV；主要功能及特色：1. 器件/微纳结构内部Xray成像；2. 可用于分析失效位置；3. 可用于样品内部3D结构成像；

薄膜表面粗糙度表征2-8英寸

薄膜厚度和形貌表征2-8英寸

薄膜应力表征2-8英寸

可支持2-12英寸、不规格尺寸元素分析范围：Al（13）-U（92），标配可测5层镀层结构，镀层元素可自由定义，多达20种元素；X射线管：微聚焦Be窗管，50 KV，1 mA，靶材钼靶（Mo）；视频观测系统：采用高分辨率相机，光学放大30倍，数字放大1-16倍可清晰观测100 μm区域内的画面；样品台移动精度：<2 μm，最高移动速度80 mm，最大承重10 Kg程控台可软件操控，标配操作杆操控走位；

器件/材料显微表征

PL Mapping（Photoluminescence Mapping，光致发光面扫描成像，半导体荧光二维扫描）：采用 532nm或685nm 的双激发激光器，对 GaAs、InP 及对应化合物半导体外延 / 晶圆进行二维光栅扫描，逐点采集光致发光光谱，生成 PL 强度、峰值波长、半高宽二维分布图谱；用于表征材料晶体质量、组分、应变、缺陷面分布，适用于 III-V 光电子外延片研发与晶圆质检。2-8英寸

硅光测试台集成精密光耦合、射频探针、高速光电测试单元，实现晶圆级在片光电联合测试。可完成无源波导损耗、偏振相关损耗 PDL 测试；支持光电器件 S 参数、电光 3dB 带宽表征；配套高带宽示波器，实现单通道 200G 信号眼图采集与分析，覆盖硅光无源波导、高速调制器、光探测器等芯片在片性能验证，用于器件研发、晶圆 CP 筛选。12英寸及以下

主要技术参数晶圆尺寸：2inch~8inch材质：Si晶圆、GaAs、InP、GaN、蓝宝石等可测量的缺陷类型：颗粒、划伤、凸起、凹坑、水渍等检测灵敏度：≤80nm测量重复性：≤5%

1.支持无损测量折射率、传输损耗 ，样品尺寸范围为 3/4/6/8寸晶圆级别薄膜（最小膜厚小于等于300 nm） 2.测量范围： （a）折射率： 1.0-2.65 ；（b） 波导损耗： ≤15 dB/cm 3.测量分辨率1. 折射率：≤±0.0005 4.测量精度：（a）折射率： ≤±0.001 ；（b）波导损耗： ±5% 5.测量波长： 532nm/635nm/780nm/830nm/1550nm 6.测量模式：TE/TM 7.可自动计算传输损耗和折射率；支持测量结果可视化； 8.测量数据导出支持.txt, .cvs或.xls格式。 9.可支持3-8英寸

薄膜或光刻胶厚度检测2-8英寸

测量水滴角，确定亲疏水性

采用范德堡四点测试法，配置电磁铁与高精度恒流 / 纳伏测量单元，自动四象限正反磁场、正反电流测量，可测定半导体样品 N/P 导电类型、薄层 / 体载流子浓度、霍尔迁移率、方块电阻、电阻率、霍尔系数；适用于 GaAs、InP 等 III-V 化合物半导体外延薄膜、晶圆小片电学输运性能测试，用于外延掺杂质量、载流子输运特性评估。

ULVAC uGemni 刻蚀机主要用途：LiNbO3 刻蚀；腔室配置： ICP -RIE，ICP 100W，Bias 600W，腔温控范围为 40–200 ℃；性能：LiNbO3 刻蚀深度300nm，刻蚀角度60度；工艺气体：支持 O₂、Ar、CHF3，C4F8，CF₄ 及Cl2， BCl3；样品适配：兼容 8 英寸晶圆及碎片，支持自动传片，压环式。